碳化矽一(yī)維納米資(zī)料因為本身的微觀描摹和晶體(tǐ)結構使其具有更多獨特的優異功用和愈加廣泛的使用遠景，被普遍認為有望成為第三代寬帶隙半導體(tǐ)資(zī)料的重要組成單元。第三代半導體(tǐ)資(zī)料即寬禁帶半導體(tǐ)資(zī)料，又(yòu)稱高溫半導體(tǐ)資(zī)料，首要包含碳化矽、氮化镓、氮化鋁、氧化鋅、金剛石等。這類資(zī)料具有寬的禁帶寬度（禁帶寬度大(dà)于2.2ev）、高的熱導率、高的擊穿電(diàn)場、高的抗輻射才能、高的電(diàn)子飽和速率等特點，适用于高溫、高頻(pín)、抗輻射及大(dà)功率器件的制造。第三代半導體(tǐ)資(zī)料憑借着其優異的特性，未來使用遠景非常寬廣。